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エピタキシャル成長装置

高品質エピ膜の高速成長が可能な
枚葉式高速回転エピタキシャル成長装置

特長

コア技術

垂直方向ガスフローと高速ウェーハ回転の組合わせにより、ウェーハ上で極薄で均一な濃度境界層(※)を形成。

薄い濃度境界層は、原料ガスを取込みやすく、又遠心力により副生成物のガスを排出しやすくします。

  • (※) 濃度境界層とは、ウェーハ面で成膜反応を生じる厚さ方向の領域を意味します。

ウェーハ高速回転のメリット

回転速度の増加とともに速まる成長速度

回転数の増加と共に原料ガス利用効率が向上し、結果としてエピタキシャル膜の成長速度も向上します。

ウェーハ高速回転のメリット

(出典)当社調べ (HT2000FD)

ウェーハを高速回転させることで炉内の原料ガスの輸送効率が増大し、ウェーハ表面に到達する原料ガス濃度を上げることができます。

この結果、原料ガスの使用量を増やすことなく、成長速度を高めることができます。

装置仕様(HT2000FD)

装置仕様(HT2000FD)
ウェーハサイズ 200mmφ
加熱方式 裏面抵抗加熱
プロセス温度 800~1,150℃
ウェーハ回転数 300~900rpm
圧力 93(700)~13.3(100)kPa(Torr)
使用ガス種 SiHCl3, SiH2Cl2, H2, HCl
外形寸法(本体) 1,396mm(W) × 2,276mm(D) × 2,350mm(H)
装置重量(本体) 約2,300Kg
イメージ

開発ロードマップ

エピタキシャル成長装置は、ガス制御技術をコア技術として、シリコンウェーハや SiCウェーハ上にシリコンやGaN、 SiCなどの単結晶を成長させるための装置です。
当社では、Siエピタキシャル成長装置「HT2000FD」の高速回転技術を発展させて、GaN on Siエピタキシャル成長装置「EPIREVO™ G8」、SiCエピタキシャル成長装置「EPIREVO™ S6」、 「EPIREVO™ S8」を市場投入しています。

開発ロードマップ画像
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