エピ装置の強み

エピタキシャル成長装置は、高効率、高品質のパワー半導体をつくる上で、高性能化とコスト低減に貢献しています。当社では2013年にはLED向けのGaN(ガリウムナイトライド)向けMOCVD(エムオーシーブイディー)装置 EPIREVO G8を製品化。続く2014年には、SiC(エスアイシー)向け成膜装置 EPIREVO S6を製品化しています。

高スループット

いずれの装置も、
　①ウェーハの高速回転による高速かつ均一性の高い成膜、
　②緻密に設計された垂直方向のガスフローによる均一なガス濃度分布、
　③高精度な面状ヒーターをウェーハに非接触で配置することで
高い温度均一性と高速な昇降温特性の３つのコア技術により、ウェーハ全面で均一性良く、高スループットで成膜することができます。

高い膜厚均一性

SiCに関しては、SiCウェーハに毎時60μｍ以上の高い成長速度でのSiCの成膜を行い、成膜特性を評価している。その結果、成膜条件を制御することで、膜厚およびNドープ濃度について高い均一性を同時に達成できることが示されています。

低い欠陥密度

また、高濃度Nドープ（バッファー）層上に低濃度Nドープ（ドリフト）層を成長する技術を応用して、0.5個／㎠という低い欠陥密度を実現しています。