历史与沿革

12月

以电子束掩膜光刻设备为中心的半导体制造设备业务的技术从株式会社东芝移交给东芝机械株式会社｡

4月

电子束掩膜光刻设备荣获日刊工业新闻社的“十大新产品奖”^＊1｡
（^＊1 日刊工业新闻社每年从企业开发、实用化的产品中严格评选出优秀的10项，进行表彰｡）

6月

与株式会社东芝综合研究所联合完成Variable Shaped Beam（可变形电子光束）型首台机——电子束掩膜光刻设备“EBM-130V”｡

6月

与株式会社东芝联合开发高速旋转型单晶片式外延生长设备HT-2000（碳固体加热方式）｡成为了首台国产的单晶片机｡

12月

开发并投产外延生长设备HT2000B｡

12月

荣获机械振兴协会奖｡

12月

通过与株式会社东芝的联合项目，开发Variable Shaped Beam（可变形电子光束）型电子束掩膜光刻设备“EBM-3000”，并进行产品化｡成为了首台商用机｡对应电路线宽为180nm-150nm｡

6月

开发并投产能够应对90nm制程的电子束掩膜光刻设备EBM-4000，并进行产品化（至此为东芝机械株式会社半导体设备事业部）｡

6月

开发并投产能够应对12英寸晶圆的硅外延生长设备HT3000｡

8月

株式会社紐富来科技全面继承东芝机械株式会社半导体设备事业部的业务，并开始开展业务｡

12月

作为株式会社紐富来科技，首次参加“SEMICON Japan　2002”｡

2月

为扩展制造设备的产能规模，扩建了净化室｡

4月

与东芝机械株式会社的美国当地法人TOSHIBA MACHINE COMPANY， AMERICA签订开发委托合同，新设USA境外办公室｡

11月

在横滨开设了作为开发基地的“横滨分部”办公室（2004年10月将销售部门搬迁至横滨分部办公室）｡

9月

开发应对电路线宽65nm的“EBM-5000”，并进行产品化｡

11月

开发了“接近效果补偿技术”，荣获株式会社欧姆公司创立90周年特别奖“电气科学技术奖励奖”^＊2｡
（^＊2 财团法人电气科学技术奖励会对为日本的电气技术进步或者电气事业、电气通信事业、电气交通文化等的发展做出了贡献，在发明、改良、增产、研究、调查等上取得杰出业绩，今后可望进一步取得显著成果的团体及个人进行表彰的奖项）

6月

决定将掩膜检测设备部门的业务事业化｡

3月

作为掩膜检测设备业务、光刻设备业务开发的核心基地，开设了横滨事业所｡

4月

在株式会社JASDAQ证券交易所上市｡

10月

将总公司搬迁至神奈川县横浜市港北区新横浜三丁目2番地6｡

2月

开发并投产EBM-6000PLUS（用于研究开发双重光刻技术）｡

3月

开发并投产EBM-7000（应对32nmhp制程）｡

3月

成立韩国当地法人｡

4月

伴随着JASDAQ证券交易所与大阪证券交易所合并，在大阪证券交易所JASDAQ Standard市场上市｡

8月

开发并投产EBM-8000（应对14nmTN/22nmhp制程）｡

2月

荣获第59届“大河内纪念生产特奖”｡

5月

开发并投产EBM-9000（应对10nmTN制程）｡

6月

在德国德累斯顿开设NFT德国分店｡

7月

伴随着东京证券交易所与大阪证券交易所的整合，在东京证券交易所JASDAQ Standard上市｡

10月

将总部、总公司搬迁至神奈川县横滨市矶子区新杉田町8番1｡

11月

发布用于8英寸硅基LED的氮化镓成膜设备EPIREVO^TM G8

1月

成立美国当地法人紐富来科技美国｡

8月

开发并投产碳化硅外延生长设备EPIREVO^TM S6｡

6月

荣获“厚生劳动大臣表彰奖励奖”｡

8月

开发并投产EBM-9500（应对7nmTN制程）｡

7月

开发并投产EBM-9500PLUS（应对TN5nm/7nm+制程）｡

开发EBM-8000P（应对14/16nm、22-45nmhp制程）｡

10月

设立纽富来科技股份有限公司 NFT Taiwan, Inc.（台湾当地法人）｡

3月

東京証券取引所JASDAQスタンダードを上場廃止

4月

東芝デバイス＆ストレージ株式会社の100％子会社化

6月

被选为“新全球细分市场领军企业百强”｡

10月

开发并投产碳化硅外延生长设备EPIREVO^TM S8｡

3月

开发并投产MBM™-2000（应对3nmTN制程）｡