EPIREVO™ S6 150㎜单晶片式SiC外延生长设备
EPIREVO™ S6 6” single-wafer
SiC Epitaxial Reactor
EPIREVO™ S6实现应对150mm晶片的大口径化，利用50µm/h以上的高速成膜与机械手晶片高温搬送实现高生产效率，与传统的Si功率半导体相比，能为高成本的SiC功率半导体的低成本和高品质化做出贡献｡
特点
高生产效率
- 能够进行膜厚150µm的连续生长
- 实现50µm/hr以上的高速生长
- 在相当于SiC外延10µm成膜上，实现每小时4片的产能
优异的面内温度分布
- 在100mm晶片面内1℃以下
- 在150mm晶片面内2℃以下
高质量
- 膜厚分布2%以下（E.E＝3mm）、杂质浓度4%以下（EE 6mm）优异的均匀性
- 0.02 / cm-2以下的低缺陷密度
机械手自动进出搬送
- 片盒到片盒的自动装片搬送
