EPIREVO™ G8 200㎜单片式GaN-on-Si MOCVD设备
EPIREVO™ G8 8” single-wafer
GaN-on-Si MOCVD
EPIREVO™ G8在200mmSi基板上高速生长高质量的GaN成膜，是一种能为发光二极管（LED）的低成本化做贡献的MOCVD设备｡除了LED用途外，也在进行开发功率器件上的用途，为实现低碳社会做贡献｡
特点
高生产效率
- 能够进行9µm/hr以上的GaN膜高速生长
- 能够进行200℃/min以上的高速升温
高质量
- 在200℃晶片面内2度以内的优异温度分布
- 在1100℃无裂痕、无Si硅的回熔
低成本
- TMG20%以上的高利用效率
- 通过in-situ清洁，能实现高运行率
