EPIREVO™ S8 200㎜单晶片式SiC外延生长设备
EPIREVO™ S8 8” single-wafer
SiC Epitaxial Reactor
EPIREVO™ S8并没有改变支持150mm晶圆的EPIREVO™ S6的概念和封装，而是实现了更大的直径的外延生长设备，支持200mm晶圆。
特点
高生产效率
- 实现50µm/hr以上的高速生长
- 维维护周期长、可用性高
低缺陷密度
- 减少晶圆顶部的沉积物并实现低下降密度
- 长期保持低下降密度
出色的均匀性
- 具有出色的均匀性：薄膜厚度分布为 2% 或更小 (E.E=5mm)、掺杂剂浓度为 5% 或更小 (EE 5mm)
晶圆表面内部温度分布的控制
- 通过高温计监测晶圆表面温度
- IN加热器和OUT加热器独立进行温度控制
