HT2000FD 枚葉式厚膜エピタキシャル成長装置
HT2000FD 8”
single-wafer Epitaxial Reactor
HT2000FDは、高品質なエピタキシャル膜を低コストで形成することができ、パワーデバイスの高性能化とコスト低減に貢献致します。 垂直ガスフローとウェーハ高速回転により、数µmから150µｍ以上の膜厚まで高速で連続成膜が出来る高効率・省エネ型の画期的なエピタキシャル成長装置です。
超厚膜の高速成長を実現
170µmの超厚膜において8.5µm/分の高速成長と±1％以下の優れた均一性の両立を達成しました。
特長
高生産性
- 膜厚150µm以上の連続成長が可能
- 8µm/min.以上の高速成長を実現
省エネ
- 120kVA以下の低消費電力
高利用効率
- 20～30%の高いソースガス利用効率
- 少ない副生成物
高品質
- 150µmの厚膜で
- ±1.5%以下の優れた膜厚均一性
- ±3.0%以下の優れた比抵抗均一性