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歴史・沿革

1976年

12月

株式会社東芝から東芝機械株式会社へ、電子ビームマスク描画装置を中心とした半導体製造装置事業の技術移管が行われる

電子ビームマスク描画装置

1979年

4月

電子ビームマスク描画装置が日刊工業新聞社の「十大新製品賞」を受賞*1
*1 日刊工業新聞社が、毎年、企業が開発し実用化した製品の中から優れた10点を厳選して表彰する賞)

1983年

9月

株式会社東芝と共同開発したマスク検査装置の初号機「APC-130 R」が東芝で稼働

1984年

6月

株式会社東芝総合研究所と共同でVariable Shaped Beam(可変成形ビーム)型初号機となる電子ビームマスク描画装置「EBM-130V」を完成

1989年

3月

「APC-130 R」をフルモデルチェンジした装置「APC-160」を東芝と開発し東芝で稼働

1992年

6月

株式会社東芝と高速回転型枚葉式エピタキシャル成長装置HT-2000(カーボン加熱方式)を共同開発。国産初の枚葉機となる

1994年

光学系を大幅に見直し検査性能を向上した「MC-100」を東芝と開発し東芝で稼働

1994年

12月

エピタキシャル成長装置 HT2000Bを開発、製品化

エピタキシャル成長装置 HT2000B

1995年

12月

機械振興協会賞を受賞

1997年

透過と反射で検査可能とする「MC-2000」を東芝と開発し東芝で稼働

1998年

12月

株式会社東芝との共同プロジェクトによりVariable Shaped Beam(可変成形ビーム)型電子ビームマスク描画装置「EBM-3000」を開発、製品化。商用機としては初号機となる。回路線幅180nm-150nm対応機

Variable Shaped Beam(可変成形ビーム)型電子ビームマスク描画装置「EBM-3000」

1999年

12月

光源波長257nmのレーザを初めて搭載した「MC-3000」を東芝と開発し東芝で稼働

2002年

6月

回路線幅90nmに対応した電子ビームマスク描画装置「EBM-4000」を開発、製品化(ここまで、東芝機械株式会社半導体装置事業部)

電子ビームマスク描画装置「EBM-4000」

6月

12インチウェーハへ対応したSiエピタキシャル成長装置 HT3000を開発、製品化

Siエピタキシャル成長装置 HT3000

8月

株式会社ニューフレアテクノロジーが東芝機械株式会社半導体装置事業部の事業を包括継承し、事業を開始

12月

株式会社ニューフレアテクノロジーとして初めて「セミコンジャパン2002」に参加

2003年

2月

製造設備拡張のためクリーンルームを増床

4月

東芝機械株式会社の米国現地法人TOSHIBA MACHINE COMPANY, AMERICAと開発委託契約を締結し、「USAサテライト」オフィスを新設

11月

横浜に研究開発拠点「横浜サテライト」オフィスを開設(2004年10月に営業部門を横浜サテライトへ移転)

12月

「MC-3000」のマイナーチェンジ装置「MC-3500」を東芝と開発し東芝で稼働

2004年

9月

電子回路線幅65nmに対応した「EBM-5000」を開発、製品化

電子回路線幅65nmに対応した「EBM-5000」

11月

「近接効果補正技術」開発により、株式会社オーム社創立90周年記念特別賞「電気科学技術奨励賞」*2を受賞
*2 財団法人電気科学技術奨励会が、日本の電気技術の進歩または電気事業・電気通信事業・電気交通文化等の発展に寄与した発明、改良、増産、研究、調査等で優れた業績をあげ、今後さらに顕著な成果が期待される団体および個人を表彰する賞)

2006年

世界で初めて光源波長199nmのレーザを採用した「NT-5000(199)」をAMiTと開発しDTFで稼働

6月

マスク検査装置事業の事業化を決定

2007年

3月

マスク検査装置事業、描画装置事業開発の中核拠点として、横浜事業所を開設

4月

株式会社ジャスダック証券取引所へ上場

10月

本社を神奈川県横浜市港北区新横浜三丁目2番地6に移転

2008年

2月

EBM-6000PLUS (ダブルパターニング研究開発用)を開発、製品化

3月

EBM-7000(hp32nm対応)の開発、商品化

2009年

1月

「 NT-5000(199) 」を元に、量産化した「NPI-6000」を開発、その初号機を検査装置BUとして初めて海外メーカーに販売し、海外展開の礎を築く

3月

韓国現地法人設立

2010年

4月

ジャスダック証券取引所と大阪証券取引所の合併に伴い、大阪証券取引所JASDAQスタンダードに上場

2011年

1月

光学系の偏向技術などを搭載したNPI-7000をAMiTと開発しDTFで稼働

8月

EBM-8000 (14nmTN,22nmhp対応)を開発、製品化

2013年

2月

第59回「大河内記念生産特賞」を受賞

5月

EBM-9000 (10nmTN対応)を開発、製品化

EBM-9000 (10nmTN)

6月

ドイツのドレスデンにNFTのドイツ支店開設

7月

東京証券取引所と大阪証券取引所の統合に伴い、東京証券取引所JASDAQスタンダードに上場

10月

本店・本社を神奈川県横浜市磯子区新杉田町8番1に移転

株式会社ニューフレアテクノロジー 本社

11月

8インチシリコン基板上のLED用途としたGaN on Si成膜装置EPIREVOTM G8をリリース

GaN on Si成膜装置EPIREVOTM G8

12月

先の海外メーカーに「NPI-6000」に続き「NPI-7000」を販売、その後メーカからベストサプライヤー賞を、2018年、2019年、2020年、2022年と4回受賞を受ける

2014年

1月

米国現地法人NuFlare Technology America, Inc.設立

8月

SiC用エピタキシャル成長装置 EPIREVOTM S6を開発、製品化

2015年

6月

「厚生労働大臣表彰・奨励賞」を受賞

厚生労働大臣表彰・奨励賞

8月

EBM-9500 (7nmTN対応)を開発、製品化

2018年

4月

10nm対応マスクを60分/100㎜で検査可能なNPI-8000を開発、製品化

2019年

7月

EBM-9500PLUS (5nm/7nm+ TN対応)を開発、製品化

EBM-8000P (14/16nm,20~45nmTN対応)を開発、製品化

10月

紐富來科技股份有限公司 NFT Taiwan, Inc. (台湾現地法人)を設立

2020年

3月

東京証券取引所JASDAQスタンダードを上場廃止

4月

東芝デバイス&ストレージ株式会社の100%子会社化

6月

「新グローバルニッチトップ企業100選」に選定

新グローバルニッチトップ企業100選 表彰状

2021年

10月

SiC用エピタキシャル成長 EPIREVOTM S8を開発・製品化

2022年

3月

MBM™-2000 (3nmTN対応)を開発、製品化

MBM-2000 (5nmTN対応)

2023年

9月

MBM™-3000 (2nmTN対応)を開発、製品化

2025年

9月

MBM™-4000 (A14TN対応)を開発、製品化

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