EPIREVO S8™ 200㎜枚葉式SiCエピタキシャル成長装置
EPIREVO™ S8 8” single-wafer
SiC Epitaxial Reactor
EPIREVO™ S8は、150mmウェハ対応のEPIREVO™ S6のコンセプトとフットプリントを変更せず、200㎜ウェハに対応した大口径化を実現したエピタキシャル成長装置です。
特長
高生産性
- 50µm/hour以上の高速成長を実現
- 長いメンテナンスサイクルによる高稼働率
低欠陥密度
- ウェハ上部へのデポを低減し、低ダウンフォール密度を実現
- 長期間に渡る低ダウンフォール密度を維持
卓越した均一性
- 膜厚分布2%以下（E.E=5mm）、ドーパント濃度5% 以下(E.E.=5mm)の優れた均一性
ウェーハ面内温度分布の制御
- パイロメーターによるウェハ表面温度のモニタリング
- INヒーターとOUTヒーターの独立した温度制御