电子束掩模曝光设备
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对于最尖端的半导体制造，离不开微细电路图形原版的光掩膜版｡本设备是制造最尖端光掩膜版的电子束掩膜光刻设备｡
特点
关键技术
从纳米到太米
电子束掩膜光刻设备涉及物理学、电气电子工学、机械工学、控制工学、信息处理工学、计测工学、化学等，是一个凝聚多方面技术的系统设备｡可以说，电子束掩膜光刻设备融合了各种各样的最尖端技术，是集各种复合技术之大成｡
从“纳（十亿分之一）”所代表的微细化技术，到“太（1万亿）”的庞大数据处理技术｡紐富来科技珍视挑战精神，将“未来的桥梁”这句口号作为原动力，实现我们的梦想，为半导体产业与社会和人类的发展做贡献｡
主要获奖经历
本公司员工获奖经历
| 年月日 | 2013年3月22日 |
|---|---|
| 名称 | 2012年度 大河内纪念生产特奖 |
| 业绩名称 | “LSI原版制造用电子束光刻设备的开发与实用化” |
| 主办团体 | 公益财团法人大河内纪念会 |
| 年月日 | 2008年11月5日 |
|---|---|
| 名称 | 2008年度 关东地区发明表彰发明奖励金 |
| 业绩名称 | “通过降低散光的电子束光刻高精度化” |
| 主办团体 | 社团法人发明协会东京支部 |
| 年月日 | 2007年4月17日 |
|---|---|
| 名称 | 2007年度 文部科学大臣表彰科学技术奖（开发部门）（原科学技术功劳者） |
| 业绩名称 | 开发电子束掩膜光刻设备的接近效果补偿技术 |
| 主办团体 | 文部科学省 |
| 年月日 | 2006年6月19日 |
|---|---|
| 名称 | 2006年度 全国发明表彰经济产业大臣发明奖 |
| 业绩名称 | 发明电子束光刻设备的接近效果补偿技术 |
| 主办团体 | 社团法人发明协会 |
本公司员工的主要学术论文一览
| 发表年份 | 2023年 |
|---|---|
| 论文名称 | Recent progress and future of electron multi-beam mask writer |
| 发表刊物 | Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 62, SG0803 (2023) |
| 发表年份 | 2021年 |
|---|---|
| 论文名称 | Study on physical model of resit surface charge in multi-beam mask writer and single variable-shape beam wirters |
| 发表刊物 | Journal of Micro/Nanopatterning, Materials and Metrology, Vol. 20, 041404 (2021) |
| 发表年份 | 2018年 |
|---|---|
| 论文名称 | Multi-beam mask writer MBM-1000 |
| 发表刊物 | Journal of Micro/Nanolithography, MEMS,and MOEMS, Vol. 17, 031205 (2018) |
| 发表年份 | 2016年 |
|---|---|
| 论文名称 | Correction of resist heating effect of variable shaped beam mask writer |
| 发表刊物 | Journal of Micro/Nano Lithography, MEMS,and MOEMS, Vol. 15, 021012 (2016) |
| 发表年份 | 2009年 |
|---|---|
| 论文名称 | Proximity Effect Correction for Mask Writing Taking Resist Development Process into Account |
| 发表刊物 | Japanese Journal of Applied Physics, Vol.48, 095004 (2009) |
| 发表年份 | 2009年 |
|---|---|
| 论文名称 | EB writing technique with variable shaped beam for 30 nm and below (in Japanese) |
| 发表刊物 | Journal of the Japan Society for Abrasive Technology, Vol. 53, 340 (2009) |
| 发表年份 | 2009年 |
|---|---|
| 论文名称 | High accuracy correction of critical dimension errors appearing in large-scale integrated circuits fabrication processes:pattern-based model |
| 发表刊物 | Japanese Journal of Applied Physics, Vol.48, 046508 (2009) |
| 发表年份 | 2008年 |
|---|---|
| 论文名称 | High accuracy correction of critical dimension errors taking sequence of large-scale integrated circuits fabrication processes into account |
| 发表刊物 | Journal of Micro/Nano Lithography, MEMS, and MOEMS, Vol. 7, 043008 (2008) |
| 发表年份 | 2008年 |
|---|---|
| 论文名称 | Journal of Micro/Nano Lithography, MEMS, and MOEMS, Vol. 7, 023006 (2008) |
| 发表刊物 | Journal of Micro/Nano Lithography, MEMS,and MOEMS Vol.7, 023006 |
| 发表年份 | 2007年 |
|---|---|
| 论文名称 | Global critical dimension correction: I. Fogging effect correction |
| 发表刊物 | Japanese Journal of Applied Physics, Vol.46, 3359 (2007) |
| 发表年份 | 2007年 |
|---|---|
| 论文名称 | Global critical dimension correction: II |
| 发表刊物 | Japanese Journal of Applied Physics, Vol.46, 3368 (2007) |
| 发表年份 | 2007年 |
|---|---|
| 论文名称 | High-accuracy proximity effect correction for mask writing |
| 发表刊物 | Japanese Journal of Applied Physics, Vol.46, 826 (2007) |
本公司员工的其他著作物等
| 发行年份 | 2021年 |
|---|---|
| 名称 | 《电子和离子束手册（第4版）》，日刊工业新闻（部分作者） |
| 类别 | 书籍 |
| 发行年份 | 2019年 |
|---|---|
| 名称 | “我们公司最好！”，《Vacuum Journal》2019年7月号，日本真空工业协会 |
| 类别 | 采访文章 |
| 发行年份 | 2012年 |
|---|---|
| 名称 | 《拥有压倒性市场占有率的世界电子束掩模写入器》、《NEDO Web杂志实际应用资料》、新能源产业技术综合开发机构 |
| 类别 | 采访文章 |
| 发行年份 | 2010年 |
|---|---|
| 名称 | 电子束加工与最新动向 《光技术 Contact》Vol.48 2010年6月号 pp.266-275 |
| 类别 | 书籍 |
| 发行年份 | 2007年-2008年 |
|---|---|
| 名称 | 《ゑれきてる》（东芝季刊）连载 技术之树如何长成？富有想象的思考、技术革新的现场 第8回“阻碍LSI未来的电子散乱现象 将复杂问题单纯化实现的接近效果补偿”（共7回） |
| 类别 | 采访报道 |
| 发行年份 | 2006年 |
|---|---|
| 名称 | 杂志《发明》How to发明 采访全国发明表彰获奖者 荣获2006年度经济产业大臣发明奖 发明电子束光刻设备的接近效果补偿技术 |
| 类别 | 采访报道 |
| 发行年份 | 2000年 |
|---|---|
| 名称 | Sub-Half-Micron Lithography for ULSIs (Cambridge University Press) 分担部分:4.4 Proximity effect correction |
| 类别 | 书籍 |
| 发行年份 | 1998年 |
|---|---|
| 名称 | 《电子束与离子束手册》（第3版）（日刊工业新闻社） 分担部分:15.2 接近效果及其补偿 |
| 类别 | 书籍 |
| 年月日 | 名称 | 业绩名称 | 主办团体 |
|---|---|---|---|
| 2013年3月22日 | 2012年度 大河内纪念生产特奖 | “LSI原版制造用电子束光刻设备的开发与实用化” | 公益财团法人大河内纪念会 |
| 2008年11月5日 | 2008年度 关东地区发明表彰发明奖励金 | “通过降低散光的电子束光刻高精度化” | 社团法人发明协会东京支部 |
| 2007年4月17日 | 2007年度 文部科学大臣表彰科学技术奖（开发部门）（原科学技术功劳者） | 开发电子束掩膜光刻设备的接近效果补偿技术 | 文部科学省 |
| 2006年6月19日 | 2006年度 全国发明表彰经济产业大臣发明奖 | 发明电子束光刻设备的接近效果补偿技术 | 社团法人发明协会 |
| 发表年份 | 论文名称 | 发表刊物 |
|---|---|---|
| 2023年 | Recent progress and future of electron multi-beam mask writer | Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 62, SG0803 (2023) |
| 2021年 | Study on physical model of resit surface charge in multi-beam mask writer and single variable-shape beam wirters | Journal of Micro/Nanopatterning, Materials and Metrology, Vol. 20, 041404 (2021) |
| 2018年 | Multi-beam mask writer MBM-1000 | Journal of Micro/Nanolithography, MEMS,and MOEMS, Vol. 17, 031205 (2018) |
| 2016年 | Correction of resist heating effect of variable shaped beam mask writer | Journal of Micro/Nano Lithography, MEMS,and MOEMS, Vol. 15, 021012 (2016) |
| 2009年 | Proximity Effect Correction for Mask Writing Taking Resist Development Process into Account | Japanese Journal of Applied Physics,Vol.48, 095004 |
| 2009年 | EB writing technique with variable shaped beam for 30 nm and below (in Japanese) | Journal of the Japan Society for Abrasive Technology, Vol. 53, 340 (2009) |
| 2009年 | High accuracy correction of critical dimension errors appearing in large-scale integrated circuits fabrication processes:pattern-based model | Japanese Journal of Applied Physics, Vol.48, 046508 (2009) |
| 2008年 | High accuracy correction of critical dimension errors taking sequence of large-scale integrated circuits fabrication processes into account | Journal of Micro/Nano Lithography, MEMS, and MOEMS, Vol. 7, 043008 (2008) |
| 2008年 | Accurate correction of critical dimension errors appearing in LSI fabrication processes | Journal of Micro/Nano Lithography, MEMS, and MOEMS, Vol. 7, 023006 (2008) |
| 2007年 | Global critical dimension correction: I. Fogging effect correction | Japanese Journal of Applied Physics, Vol.46, 3359 (2007) |
| 2007年 | Global critical dimension correction: II | Japanese Journal of Applied Physics, Vol.46, 3368 (2007) |
| 2007年 | High-accuracy proximity effect correction for mask writing | Japanese Journal of Applied Physics, Vol.46, 826 (2007) |
| 发行年份 | 名称 | 类别 |
|---|---|---|
| 2021年 | 《电子和离子束手册（第4版）》，日刊工业新闻（部分作者） | 书籍 |
| 2019年 | “我们公司最好！”，《Vacuum Journal》2019年7月号，日本真空工业协会 | 采访报道 |
| 2012年 | 《拥有压倒性市场占有率的世界电子束掩模写入器》、《NEDO Web杂志实际应用资料》、新能源产业技术综合开发机构 | 采访报道 |
| 2010年 | 电子束加工与最新动向 《光技术 Contact》 Vol.48 2010年6月号 pp.266-275 |
书籍 |
| 2007年-2008年 | 《ゑれきてる》（东芝季刊）连载 技术之树如何长成？富有想象的思考、技术革新的现场 第8回“阻碍LSI未来的电子散乱现象 将复杂问题单纯化实现的接近效果补偿”（共7回） | 采访报道 |
| 2006年 | 杂志《发明》 How to发明 采访全国发明表彰获奖者 荣获2006年度经济产业大臣发明奖 发明电子束光刻设备的接近效果补偿技术 | 采访报道 |
| 2000年 | Sub-Half-Micron Lithography for ULSIs (Cambridge University Press) 分担部分:4.4 Proximity effect correction |
書籍 |
| 1998年 | 《电子束与离子束手册》（第3版）（日刊工业新闻社） | 書籍 |
研发路线图
多重电子束掩模光刻设备以高速、高精度控制26万根电子束，可实现高吞吐量、高精度的光掩模制造，是支持先进技术节点的光掩模光刻设备。
MBM™-2000支持3nm节点系列，MBM™-2000PLUS支持3nm+节点系列的光掩模量产。
EBM系列电子束掩模光刻设备是采用可变成型光束方式、载物台可变速控制方式和高电流密度电子源，实现高COO（Cost of Ownership）的单束光刻设备。
EBM-9500PLUS使用电流密度为1200A/cm2的电子源支持7+/5nm节点系列，EBM-8000P/H、/M使用电流密度为400A/cm2的电子源支持45-14nm多种节点系列的光掩膜量产。
本公司密切关注对EUV光刻和纳米压印技术的支持等光刻技术的未来趋势，同时还在为2nm系列及更高级的设备开发光刻设备。
