可変成型電子ビームマスク描画装置 EBM-8000P/H・EBM-8000P/M
16/14nmノード対応
45～20nmノード対応
EB Mask Writer
EBM-8000P/H・EBM-8000P/M
16/14nmノードに対応したEBM-8000P/Hと
45～20nmノードに対応したEBM-8000P/Mがあります。
特長
- 1) 50kV加速電圧で、コントラストに優れた描画性
- 2) ステージ可変速移動と高電流密度(400A/cm2)による高いスループット
- 3) 広いテクノロジーノード領域において、高いCOO（ Cost of Ownership ）を実現
仕様
| 仕様 | EBM-8000P/H | EBM-8000P/M |
|---|---|---|
| マスクサイズ | 6inch | 6inch |
| 位置精度 | 4.3nm（3σ） | 6.0nm（3σ） |
| 寸法精度 | 1.3nm（3σ） | 2.5nm（3σ） |