EPIREVO™ G8 200㎜枚葉式GaN-on-Si MOCVD装置
EPIREVO™ G8 8” single-wafer
GaN-on-Si MOCVD
EPIREVO™ G8は、200㎜Si基板上に高品質なGaNを高速に成膜することで、発光ダイオード（LED）を低コスト化に貢献するMOCVD装置です。 LED用途に加え、パワーデバイス用途にも開発を進め、低炭素社会の実現に貢献致します。
特長
高生産性
- 9µm/hour以上のGaN膜の高速成長が可能
- 200℃/minute以上の高速昇温が可能
高品質
- 200㎜ウェハで面内2度以内の優れた温度分布
- 1100℃でスリップフリー、Siのメルトバックフリー
低コスト
- TMGで20％以上の高利用効率
- in-situ クリーニングによる高稼働率