EPIREVO™ S6 150㎜枚葉式SiCエピタキシャル成長装置

EPIREVO™ S6は、150㎜ウェハに対応した大口径化、50µm/h以上の高速成膜とロボットによるウェハ高温搬送による高生産性を実現し、従来のSiパワー半導体と比較して高コストなSiCパワー半導体の低コスト化・高品質化に貢献致します。