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可变成型电子束掩膜光刻设备 EBM-8000P/H・EBM-8000P/M

支持 16/14nm节点
支持 45~20nm节点

EB Mask Writer
EBM-8000P/H・EBM-8000P/M

可变成型电子束掩膜光刻设备 EBM-8000P/H・EBM-8000P/M

一种可变成型多重电子束掩模光刻设备,支持45~14nm节点的掩模量产。

特征

  • 1) 通过50kV的加速电压实现了对比度出色的光刻效果
  • 2) 通过载物台可变速移动和高电流密度(400A/cm2)实现了高吞吐量
  • 3) 在广泛的技术节点领域实现了高COO(Cost of Ownership)

仕様

仕様
掩膜尺寸 6inch
位置精度 50kV
尺寸精度 1200A/cm2
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