HT2000FD 单晶片式厚膜外延生长设备
HT2000FD 8”
single-wafer Epitaxial Reactor
HT2000FD可低成本形成高质量的外延膜，为功率器件的高效率化和降低成本做贡献｡通过垂直气流与晶片高速旋转，能够高速连续生成从几个µm到150µm以上的膜厚，是一款高效率、节能型的独特外延生长设备｡
能实现超厚膜的高速生长
在170µm的超厚膜上同时达到8.5µm/分的高速生长与±1%以下的优异均匀性｡
特点
生产效率高
- 能够进行膜厚150µm以上的连续生长
- 实现8µm/min以上的高速生长
节能
- 120kVA以下的低耗电量
高利用效率
- 20～30%的源气体利用效率
- 副产物少
高质量
- 在150µm的膜厚上
- ±1.5%以下优异的膜厚均匀性
- ±3.0%以下优异的电阻率均匀性
