ニューフレアテクノロジーの主力製品
世界に誇る最先端技術
LEADING THE EDGE
#01
電子ビームマスク描画装置
電子ビームマスク描画装置（EBM）は、半導体デバイスの生産工程において、コンピュータ上で設計された半導体素子回路をシリコンウェハへ転写する際の原板となる「フォトマスク」を描画します。電子ビームマスク描画装置を活用した描画はLSIチップの高集積化に伴う微細化パターン形成のために1970年代後半から実用化され、今ではマスク製造装置の主流になっています。ニューフレアテクノロジーの装置では、東京タワーから富士山山頂にある1.6mmの的を射抜けるほどの高精度の描画が可能となっています。
Key Technology
-
高速・高精度制御技術
電子ビームマスク描画装置では、電子銃から発生させた電子線を用いてフォトマスク上に回路パターンを形成します。複雑な回路パターンを形成するために、フォトマスク上ではナノメートルオーダーの位置精度が要求されます。高速・高精度の電気回路技術と電気制御技術があって、はじめて高スループットかつ高品質の半導体回路パターンの形成が可能となります。
-
超精密機械制御技術
電子ビームマスク描画装置では、パターンの位置精度に悪影響を及ぼさないよう、機械振動の振動成分を抑制する必要があります。当社は最高レベルの超精密ステージと、最適な機械制御技術を開発・実用化し、比較的低い周波数の振動をサブナノメートルオーダーで抑制することを可能としました。レーザー干渉計の信号を電子ビームの偏向制御機構にフィードバックして制御するビームトラッキング技術を開発して実用化しています。
-
大容量情報処理技術
当社では、テラバイト級の大容量データを、最先端のプロセッサを用いて並列処理し、高速に演算する技術を開発・実用化しています。回路パターンを表現するために必要な図形データは、最新のHDD容量に匹敵するようなデータ量となっていますが、それを１つの間違いもなく順番に電子ビームの偏向制御機構に渡す処理を数時間で終わらせることが可能となっています。
LEADING THE EDGE
#02
マスク検査装置
マスク検査装置は、電子ビームマスク描画装置で描画されたフォトマスクの欠陥を高速で検査し、半導体の歩留まり向上に貢献します。フォトマスクに描画される回路パターンは、より一層細かく複雑なものとなり、検査装置の重要性は年々高まっています。当社では2006年よりマスク検査装置事業をスタートさせ、電子ビームマスク描画装置と同一のデータを用いた信頼性の高い検査を可能にするとともに、機能連携によりシステム化も実現。検査光源に199nmのレーザーを搭載。マスクの上下から透過光と反射光を同時に照射し、検出画像をセンサーに反映させる光学技術を導入し、高感度と検査時間の短縮を図っています。
Key Technology
高度な光学技術・計測技術
マスク検査装置では、まず光学的な要素として、ナノ単位の目には見えないほど微細な光源を扱う技術が必要です。高エネルギー光源に対応する耐久性の高いレンズの開発も行います。実画像とCADデータの画像を突き合わせる際には、座標を取るための計測技術も重要となります。さらに、電子ビームマスク描画装置同様に高精度で動くステージも必要になりますし、画像処理のアルゴリズムを制御するソフトウエアも欠かせません。
LEADING THE EDGE
#03
エピタキシャル成長装置
エピタキシャル成長とは、シリコンなどからなるウェハ上に結晶方位が揃った単結晶の薄膜を成長させる技術。そのために用いられるのがエピタキシャル成長装置です。LED、ハイブリッド車・電気自動車用のパワーデバイスといった半導体をつくる上で、この装置は欠かせません。1980年から30年以上にわたり製造・販売してきましたが、2013年にはLED向けのGaN-on-Si用MOCVD装置を製品化。続く2014年には、SiCデバイス向け成膜装置を製品化しています。当社の装置は、生産性と総合的な装置の完成度の高さにより、世界中から評価を受けています。
Key Technology
高均一・高速薄膜結晶成長技術
当社のエピタキシャル成長装置の場合、約500〜1500rpmという高速で基板を回転させることにより、薄膜を均一に成膜することが可能です。高速に回転させることで供給するガスを基板に吸い寄せ、薄膜を速く成長させることにもつながります。「高均一温度制御技術」「高速回転制御技術」「供給ガス制御技術」の3つの要素で、高均一かつ高速成長の薄膜結晶成長を実現しています。